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IPW65R150CFDA和IPW65R110CFDAN沟道金属氧化物场效应晶体管

信息编号:56030098 发布时间:2019/8/13 17:40:33
星际金华电子热销IPW65R150CFDA和IPW65R110CFDAN沟道金属氧化物场效应晶体管 100%全新正品 现货出售

IPW65R150CFDA规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 22.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 9.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 900μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2340pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 195.3W(Tc)
工作温度 -40°C 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3

批号18+ 型号IPW65R150CFDA 品牌英飞凌 封装TO-247-3

IPW65R110CFDA产品规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 110 毫欧 @ 12.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 118nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3240pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 277.8W(Tc)
工作温度 -40°C 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3

型号IPW65R110CFDA 品牌英飞凌 年份18+ 封装TO-247-3

一般信息
标准包装 240
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 汽车级,AEC-Q101,CoolMOS?

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